一种制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内层原料石英砂的方法
实质审查
申请人:黄冈师范学院; 田辉明
申请日期:2022-12-29
文献日:2023-05-23
等级:0
文献号:CN116143133A
当前状态:实质审查
类型:发明公开
主分类号:C01B33/18
分类号:C01B33/18
申请编号:CN202211706336.0
省份:湖北省
城市:湖北省黄冈市
申请人地址:湖北省黄冈市开发区新港二路146号;
申请人地址:湖北省黄冈市开发区新港二路146号;
发明者:田辉明; 田正芳; 李芊芊; 郑申棵; 赵冰珊; 孙先凤; 雷绍民