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基本信息

一种制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内层原料石英砂的方法

申请人：黄冈师范学院; 田辉明 申请日期：2022-12-29 文献日：2023-05-23 等级：0 文献号：CN116143133A 当前状态：实质审查 类型：发明公开 主分类号：C01B33/18 分类号：C01B33/18 申请编号：CN202211706336.0 省份：湖北省 城市：湖北省黄冈市 申请人地址：湖北省黄冈市开发区新港二路146号; 申请人地址：湖北省黄冈市开发区新港二路146号; 发明者：田辉明; 田正芳; 李芊芊; 郑申棵; 赵冰珊; 孙先凤; 雷绍民

总结

本发明涉及一种制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内层原料石英砂的方法，采用氟硅酸与氨气或氨水反应制备高纯SiO2，其中，所述氟硅酸纯度为5N及以上。本发明采用石英原料成功制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内衬合成原料石英砂，同时还联产出高纯氟化铵和高纯氟化钙产品。不仅做到了生产与节能环保并举，还大大地降低了企业的生产成本，提高了企业的整体效益。

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