专利详情

当前位置:首页>专利详情

基本信息

收藏

一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3-氰基吡啶N氧化物合成方法

申请人:湖北进创博生物科技有限公司 申请日期:2023-06-19 文献日:2023-09-29 等级:0 文献号:CN116815206A 当前状态:公开 类型:发明公开 主分类号:C25B3/09 分类号:C25B3/09 申请编号:CN202310722962.7 省份:湖北省 城市:湖北省黄冈市 申请人地址:湖北省黄冈市武穴市田镇办事处马口医药化工产业园 申请人地址:湖北省黄冈市武穴市田镇办事处马口医药化工产业园 发明者:郭建军; 胡涌刚; 胡茂华; 吴天兆; 李明明

总结

本发明一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3‑氰基吡啶N氧化物合成方法,其特征在于,包括如下步骤:构建辅助电场,将铜棒或铜板作为负极,贵金属纳米网布作为正极;构建氧化池,在氧化池中内壁两端分别固定位置设置所述铜棒或铜板和所述贵金属纳米网布;将3‑氰基吡啶的溶液倒入氧化池中,开关装置设为打开状态,并向贵金属纳米网布一极输入双氧水,并逐步加大可变电压电源的输出电压,加大电场强度到第一预设值,然后再保持预定时间,之后再次逐步加大场强至第二预设值保持,直到气压显示装置显示压强趋稳时逐步减小电场,直至所述断开状态。增加了催化表面积提高了反应的效率,以及增加了产率、便于直接从氧化池中导出进行下一步水解酸化合成2‑氯烟酸。

联系我们

  • 地址:湖北省黄冈市黄州区新港二路17号
  • 电话:0713-8123251
  • 邮箱:824611871@qq.com
关注黄冈智慧知识产权

知识产权

Copyright 2023 版权所有 黄冈智慧知识产权运营中心

鄂ICP备1123663