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基本信息

一种M/GaN/FTO催化剂及其制备方法

申请人：王岩 申请日期：2021-03-11 文献日：2021-06-25 等级：0 文献号：CN113019413A 当前状态：公开 类型：发明公开 主分类号：B01J27/24 分类号：B01J27/24 申请编号：CN202110265227.9 省份：湖北省 城市：湖北省黄冈市 申请人地址：湖北省黄冈市黄梅县关山大道69号 申请人地址：湖北省黄冈市黄梅县关山大道69号 发明者：王岩; 刘宇鑫

总结

本发明公开了一种M/GaN/FTO催化剂及其制备方法，该方法采用化学气相沉积技术将氮化镓沉积在FTO基底上，然后采用化学试剂还原处理将金属负载于沉积在FTO基底上的氮化镓的表面，最终制得出一种M/GaN/FTO催化剂，该催化剂具有优异的光催化海水产氢性能以及化学循环稳定性。

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