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基本信息

一种高发射率阳极氧化膜层的制备方法

申请人：湖北安登环保科技有限公司 申请日期：2018-06-21 文献日：2018-11-09 等级：0 文献号：CN108774743A 当前状态：撤回 类型：发明公开 主分类号：C25D11/08 分类号：C25D11/08 申请编号：CN201810646604.1 省份：湖北省 城市：湖北省黄冈市 申请人地址：湖北省黄冈市团风县方高坪镇稻湾村一组 申请人地址：湖北省黄冈市团风县方高坪镇稻湾村一组 发明者：程永青

总结

本发明公开了一种高发射率阳极氧化膜层的制备方法，属于铝及其铝合金表面处理技术领域，该方法能够提供一种致密、均匀、不开裂的阳极氧化膜；该方法的步骤为：(1)前处理；(2)阳极氧化；(3)扩孔氧化；(4)着色预处理；(5)着色；采用硫酸己二酸阳极氧化工艺步骤制备的阳极氧化膜层厚度薄(约5~7m)、致密、均匀，孔隙率较低，可避免由于空间环境变化导致膜层出现裂纹，解决膜层开裂问题。该方法制备的阳极氧化膜的发射率比较高。

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