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基本信息

一种以二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法

申请人：黄冈师范学院; 田辉明 申请日期：2019-12-26 文献日：2020-04-24 等级：0 文献号：CN111056556A 当前状态：实质审查 类型：发明公开 主分类号：C01B33/023 分类号：C01B33/023 申请编号：CN201911366826.9 省份：湖北省 城市：湖北省黄冈市 申请人地址：湖北省黄冈市开发区新港二路146号 申请人地址：湖北省黄冈市开发区新港二路146号 发明者：田辉明; 田正芳; 黄林勇; 陈中文; 江军明; 雷绍民

总结

本发明涉及一种以高纯二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法，属于非金属矿深加工技术领域。以高纯H2为还原剂、以高纯SiO2为硅源，先在高温1250-1300℃下通入H2，使SiO2被还原成SiO，O与H2反应生成H2O；然后再升温到1350℃通入H2，把温度控制在1350-1400℃之间。此时SiO被H2还原成高纯Si，SiO中的O与H2发生氧化还原反应后生成H2O，整个制备过程对环境无任何污染。

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