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一种消影透明导电膜

申请人:红安华州光电科技有限公司 申请日期:2013-04-11 文献日:2013-10-30 等级:0 文献号:CN203259674U 当前状态:权利终止 类型:实用新型 主分类号:G02B1/11 分类号:G02B1/11 申请编号:CN201320180691.9 省份:湖北省 城市:湖北省黄冈市 申请人地址:湖北省黄冈市红安县经济开发区新型产业园 申请人地址:湖北省黄冈市红安县经济开发区新型产业园 发明者:朱选敏; 彭育华; 段柯州

总结

本实用新型公开了一种消影透明导电膜,消影透明导电膜附在透明基材上,消影透明导电膜是至少包含有高折射率层、低折射率层和透明导电膜。高折射率层波长在550nm,折射率指数在2.1-2.4的膜层材料;低折射率层波长在550nm,折射率指数在1.4-1.5膜层材料;透明导电膜波长在550nm,折射率指数在1.79-1.95透明导电的膜层材料。在透明基材的其中一面与透明基材向外依次连接高折射率层、低折射率层,低折射率层分别与最外层的透明导电膜、高折射率层相连。此实用新型膜层结构简单,使用方便,消影透明导电膜的各膜层的厚度小,生产工艺简便,特别是适合于在大面积连续磁控溅射镀膜生产线上实现。具有光学消影的效果,同时适合实现连续大面积批量生产。

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