专利详情

基本信息

一种钙掺杂氢氧化钴纳米片电极材料及其制法和在制备超级电容器中的应用

申请人：黄冈师范学院 申请日期：2017-03-13 文献日：2017-08-18 等级：0 文献号：CN107068421A 当前状态：驳回 类型：发明公开 主分类号：H01G11/86 分类号：H01G11/86 申请编号：CN201710144721.3 省份：湖北省 城市：湖北省黄冈市 申请人地址：湖北省黄冈市开发区新港2路146号 申请人地址：湖北省黄冈市开发区新港2路146号 发明者：田正芳; 解明江; 张万举; 王永正; 沈宇; 郭学锋

总结

一种薄片状钙掺杂氢氧化钴电极材料的制备方法，它是将50ml浓度为15‑30g/L的氢氧化钙浆料和50ml浓度为0.2‑0.5mol/L的钴离子溶液混合发生离子交换反应，将搅拌后的后的混合体系进行过滤，洗涤并在80℃烘干即得到钙掺杂的氢氧化钴。该方法得到钙掺杂的氢氧化钴材料作为电极材料应用于超级电容器储能具有比普通方法制备的氢氧化钴更优异的电容性能。

友情链接

联系我们

地址：湖北省黄冈市黄州区新港二路17号
电话：0713-8123251
邮箱：824611871@qq.com

关注黄冈智慧知识产权

知识产权