总结
本发明提供了一种半超结器件及其制造方法。所述半超结器件包括N型衬底、形成于N型衬底表面的三层N型外延、贯穿所述第三层N型外延且延伸至所述第二层N型外延中的第一、第二P型注入区域、形成于所述第一P、第二P型注入区域表面的沟槽、形成于所述第一P、第二P型注入区域的沟槽中的第一氧化层、形成于所述第一P、第二P型注入区域的沟槽中第一氧化层表面的第一多晶硅、形成于所述第三层N型外延表面的第三、第四及第五P型注入区域、形成于所述第三、第四及第五P型注入区域表面的第一、第二及第三N型注入区域、第二氧化层、第二多晶硅、介质层、形成于所述介质层上的第一金属层；及形成于所述N型衬底远离所述第一层N型外延下表面的第二金属层。
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