专利详情

当前位置:首页>专利详情

基本信息

收藏

一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法

申请人:黄石市深博电气有限公司 申请日期:2021-09-08 文献日:2021-12-03 等级:0 文献号:CN113744932A 当前状态:公开 类型:发明公开 主分类号:H01B13/00 分类号:H01B13/00 申请编号:CN202111051053.2 省份:湖北省 城市:湖北省黄冈市 申请人地址:湖北省黄冈市浠水经济开发区散花工业园 申请人地址:湖北省黄冈市浠水经济开发区散花工业园 发明者:涂锋; 吴文清; 李亮亮; 高天元

总结

本发明涉及一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法,包括以下步骤:S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁,使用美工刀片将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理;S2、将半导硫化带从外半导层一端断口搭接至另一端断口;S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸,再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带;S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带,配置温控箱,温控箱的温度感应探头插入硅橡胶加热带中,温度调整为90℃加热;S5、当温度达到定值90℃时,保温5分钟后,进行风冷,用细砂带背面来回轻拉一次,再用清洁纸将熔接部位外壁擦拭干净;本发明工艺方法所恢复的电缆外半导层电缆还原真实度高,性能更加优越。

联系我们

  • 地址:湖北省黄冈市黄州区新港二路17号
  • 电话:0713-8123251
  • 邮箱:824611871@qq.com
关注黄冈智慧知识产权

知识产权

Copyright 2023 版权所有 黄冈智慧知识产权运营中心

鄂ICP备1123663